Реферат на тему:
Електропровідність напівпровідників.
Особливості енергетичних зон металів, напівпровідників та діелектриків.
Концентрація електронів та дірок у власному напівпровіднику.
В металах валентна зона заповнена не повністю (вони володіють низькою
валентністю), рис. 4, в результаті чого валентні електрони можуть вільно
переміщатись між атомами і, відповідно, концентрація вільних електронів
є надзвичайно великою. Енергетичний рівень, який розділяє заповнену та
вільну частини зон в металі, називають рівнем Фермі (в дійсності – це
поверхня). Формально рівень Фермі (F) можна визначити як енергетичний
рівень, ймовірність заповненвя якого рівна 1/2. Нижче цього рівня
переважають електрони, вище переважає вільний простір (дірки).
Рис 4. Енергетична діаграма металу.
Напівпровідники та діелектрики відрізняються шириною забороненої зони. В
напівпровідниках, як правило, заборонена зона є менша і не перевищує
3еВ, тому для напівпровідників ймовірність розриву валентних зв’язків за
рахунок теплового нагрівання є значно більшою, аніж у діелектриків і
навіть при кімнатній температурі напівпровідники можуть володіти
кінцевою електронною провідністю. При цому власна концентрація носіїв
заряду залежить від ширини забороненої зони та температури. Рівень Фермі
у власних напівпровідниках та діелектриках лежить всередині забороненої
зони. На відміну від металів в ідеальних власних напівпровідниках
всередині зони дозволених рівнів немає і, відповідно, не може бути
електронів з такими енергіями, однак, якщо б вони були, то ймовірність
їх заповнення була б рівна 1/2. Тобто і в цьому випадку він вказує на
те, які стани можуть бути заповнені електронами, а які ні. Дійсно,
валентна зона лежить нижче рівня Фермі – вона заповнена електронами,
зона провідності знаходиться вище рівня Фермі, ймовірність заповнення її
електронами fnВикористана література:
Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая
школа, 1978.
Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной
электроники. -М.: Высшая школа, 1975.
Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая
школа, 1988.
Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая
школа, 1982.
Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во,
1982.
Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985.
Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа,
1986.
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter
