Реферат на тему:
Вплив конструктивно-технологічних характеристик транзистора на параметри
еквівалентної схеми.
Коефіцієнт передачі за струмом.
Використовуючи (4_90), запишемо:
(4_92)
В (4_92) виділені два співмножники: перший характеризує перенесення
носіїв зарядау через базу, другий – здатність емітера інжектувати
неосновні носії заряду. З другої сторони, для коефіцієнту передачі
струму ми можемо записати ? = ??. Тому логічно, порівнявши два вирзи,
записатиь для коефіцієнтів перенесення – ? та інжекції – ? наступні
вирази:
(4_93)
Для того, щоб проілюструвати вплив w/Lp, приймемо коефіцієнт інжекції
емітера рівним одиниці та обчислимо коефіццєнт передачі за струмом в СБ(
рис.62,а ) та СЕ (рис.62,б). Як видно з графіку, для того, щоб
коефіцієнт передачі за струмом бул високим, необхідно, щоб товщина бази
була значно меншою за дифузійну довжину; з фізичної точки зору це
означає, що інжектовані носії заряду повинні доходити до колектора без
значних втрат на рекомбінацію. На сучасному етапі умова w/Lp0 та UкбUк1, Iе2>Iе1)
4.5.3. Тепловий струм транзистора (зворотній струм колекторного
переходу).
Некерований струм колекторного переходу Jк0 (Jк0б) має сильну залежність
від температури, тому його часто називають тепловим струмом транзистора.
Цей струм протікає через базове коло транзистора і тому некерований
тепловий струм колектора в схемі СЕ буде значно вищим, аніж в схемі СБ:
Jк0е = Jк0б(?+1). Зміна теплового струму з температурою може викликати в
підсилювальних каскадах зміну положення робочої точки, тому приймаються
спеціальні міри для її температурної стабілізації.
Залежність Jк0 від конструктивних параметрів транзистора дається (4_91):
Припустимо, що транзистор є симетричним, тобто технологічні параметри
емітерної області такі ж, як і колекторної, тоді: a12 = a21, a11 = a22.
Крім того, врахуємо, що легування емітерної та коллкторної областей
значно сильніше, аніж базової, тоді pp>>nn і, відповідно, pn>>np. Це
дозволяє в a11 a22 залишити тільки один співмножник з неосновними
носіями.
(4_94)
Підставивши у вираз для Jк0 з a12=a21 з (4_87) та a11 = a22 з (4_94),
отримаємо:
Оскільки w/Lp Використана література: Основы промышленной электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. -М.: Высшая школа, 1978. Изъюрова Г.И., Кауфман М.С. Приборы и устройства промышленной электроники. -М.: Высшая школа, 1975. Миклашевский С.П. Промышленная электроника. -М.: Высшая школа, 1973. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа, 1988. Основы промышленной электроники/Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: высшая школа, 1982. Гершунский В.С. Основы электроники. - К.: Вища школа, головн. из-во, 1982. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.:Энергоатомиздат, 1985. Нагорский В.Д. Электроника и электрооборудование. - М.: Высшая школа, 1986.
Нашли опечатку? Выделите и нажмите CTRL+Enter
