UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 10

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваВплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / Л.А. Міщенко, НАН України. Ін-т фізики напівпровід
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1815
Скачало148
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦIОНАЛЬНА АКАДЕМIЯ НАУК УКРАЇНИ

 

IНСТИТУТ ФIЗИКИ НАПIВПРОВIДНИКIВ

 

МIЩЕНКО ЛIДIЯ АНДРIЇВНА

 

УДК 621.315.592

 

ВПЛИВ ДОМIШКИ ВАНАДIЮ НА ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ

 

В ТЕЛУРИДI КАДМIЮ

 

01.04.07-фiзика твердого тiла

 

Автореферат дисертацiї на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фiзико-математичних наук

 

Київ-1998

 

Дисертацiєю є рукопис.

 

Роботу виконано в Iнститутi фiзики напiвпровiдникiв НАН України.

 

Науковий керiвник: доктор фізико-математичних наук, старший

науковий співробітник

 

Бєляєв Олександр Євгенович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України,

 

провідний науковий співробітник.

 

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, старший

науковий співробітник

 

Єрмолович Ірина Борисівна,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України,

 

провідний науковий співробітник;

 

доктор фізико-математичних наук, професор

 

Гнатенко Юрій Павлович,

 

Інститут фізики НАН України,

 

завідуючий відділом.

 

Провідна організація: Чернівецький державний університет

 

ім.Ю.Федьковича, кафедра напівпровідникової

мікроелектроніки, Міністерство освіти України,

 

м.Чернівці.

 

Захист відбудеться “15” січня 1998р. о 1415 год. на засіданні

спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики

напівпровідників НАН України за адресою: 252650, Київ-28, проспект

Науки, 45.

 

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників НАН України (252650, Київ-28, проспект Науки, 45).

 

Автореферат розісланий “14” грудня 1998р.

 

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради

Рудько Г.Ю.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми. Телурід кадмію традиційно застосовується у мікро- та

оптоелектрониці для виготовлення підкладок при вирощуванні

епітаксіальних шарів CdTe та CdxHg1-xTe, а також для виробництва

приймачів ІЧ- , гама-, та рентгенівського випромінювання.

 

Легування телуріду кадмію ванадієм відкриває ще одну можливість його

використання як фоторефрактивного матеріалу для систем запису оптичної

інформації та передачі її через волоконно-оптичні лінії зв’язку. Останнє

стало можливим завдяки фоточутливості CdTe:V у важливому спектральному

діапазоні (1-1.5) мкм, та великому значенню електрооптичного коефіцієнту

(5.5 пм/V).

 

За останній час було встановлено, що легування CdTe ванадієм приводить

до появи у забороненій зоні глибоких рівнів, які відіграють важливу роль

в явищі фоторефракції. Але конфігурація самого дефекту ванадію, його

роль у розширенні області фоточутливості CdTe в сторону більших довжин

хвиль, а також природа встановлення високоомного стану матеріалу ((>109

Ом см при Т=300 К) до кінця не з’ясовані.

 

Методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) встановлено, що

ванадій заміщує кадмій у вузлах решітки і знаходиться у зарядовому стані

V2+/V3+. Ізольований дефект VCd2+/VCd3+ утворює глибокий донорний рівень

з енергією Ес-(0.8(0.1) еВ, який піннінгує рівень Фермі. Масспектральний

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ