UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 15

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваФормування гетеростуктур Ge33As12Se55 - p - Si, механічні властивості та особливості переносу носіїв заряду в них: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. нау
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось2386
Скачало120
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

Чернівецький державний університет

 

ім. Юрія Федьковича

 

КОНДРАТ ОЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ

 

УДК 539.21:537.1

 

ФОРМУВАННЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge33As12Se55 - p-Si,

 

МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕНОСУ

 

НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НИХ

 

Спеціальність 01.04.07 - Фізика твердого тіла

 

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата

 

фізико-математичних наук

 

Чернівці - 1998

 

Дисертацією є рукопис

 

Робота виконана на кафедрі твердотільної електроніки і в

Науково-дослідному інституті фізики і хімії твердого тіла Ужгородського

державного університету.

 

Науковий керівник: професор, доктор фізико-математичних наук,

 

Лауреат Держпремії України в галузі науки і техніки,

Заслужений винахідник України ДОВГОШЕЙ МИКОЛА ІВАНОВИЧ,

 

Ужгородський державний університет,

 

професор кафедри твердотільної електроніки

 

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор

 

ВЕНГРЕНОВИЧ РОМАН ДМИТРОВИЧ,

 

Чернівецький державний університет ім. Ю.Федьковича

 

завідувач кафедрою загальної фізики

 

доктор фізико-математичних наук, пр.н.с.

 

МАСЛЮК ВОДОДИМИР ТРОХИМОВИЧ,

 

Інститут електронної фізики НАН України,

 

завідувач відділом

 

Провідна організація - Львівський державний університет ім.Івана Франка

 

Захист відбудеться "__19__" __лютого____ 1999 р. о 15 годині на

засіданні спеціалі- зованої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому

державному університеті ім. Ю.Федьковича

 

274012, м.Чернівці, вул.Коцюбинського, 2.

 

З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Чернівецького

державного університету ім. Ю.Федьковича

 

(м.Чернівці, вул.Л.Українки, 23).

 

Автореферат розіслано "_28_" _грудня__ 1998 року.

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради КУРГАНЕЦЬКИЙ М.В.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми. В наш час не зникає зацікавленість дослідників до

невпорядкованих напівпровідників. Халькогенідні склоподібні

напівпровідники (ХСН), відкриті Н.А.Горюновою і Б.Т.Коломійцем в 1955

році, серед невпорядкованих напівпровідників займають особливе місце,

оскільки їх дослідження є основою для створення загальних уявлень про

електронні явища в невпорядкованих структурах. Про це свідчить відносно

велика кількість монографій, присвячених даній тематиці. Крім того

аморфні плівки ХСН вже знайшли широке практичне застосування.

 

Дослідження властивостей гетероструктур ХСН-кристал почалося ще на

початку шістдесятих років і продовжується до теперішнього часу. Проста

теоретична модель гетеропереходу аморфна речовина-кристал була

запропонована в 1975 р. М.Бродскі і Г.Дохлером. Вона базується на

концепції змінного бар'єру Шотткі, який забезпечує переважання

стрибкового механізму провідності в аморфному напівпровідникові. Висока

густина локалізованих електронних станів в аморфних напівпровідниках

порівняно з металами відносно мала. З іншого боку вона достатньо висока

для того, щоб аморфна частина переходу була більше подібна до металевої

сторони діода Шотткі, ніж до кристалічного напівпровідника. Ця модель

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ