UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75838
останнє поновлення: 2016-12-03
за 7 днів додано 15

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваВплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук /
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось2362
Скачало104
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

ВОЛИНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

 

ім. ЛЕСІ УКРАЇНКИ

 

 

 

 

 

 

Федосов Сергій Анатолійович

 

 

 

УДК 621.315.592

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні

властивості антимоніду і сульфіду кадмію

 

 

 

 

 

 

 

01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків

 

 

 

 

 

 

 

АВТОРЕФЕРАТ

 

 

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛУЦЬК – 1999

 

Дисертацією є рукопис.

 

Робота виконана у Волинському державному університеті

 

ім. Лесі Українки, Міністерство освіти України.

 

 

 

Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук,

 

професор

 

Давидюк Георгій Євлампійович

 

Волинський державний університет,

 

завідувач кафедрою фізики твердого тіла.

 

 

 

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,

 

старший науковий співробітник

 

Бєляєв Олександр Євгенович

 

провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН

України (м. Київ);

 

 

 

кандидат фізико-математичних наук,

 

Хіврич Володимир Ількович

 

старший науковий співробітник відділу радіаційної фізики Наукового

центру “Інститут ядерних досліджень НАН України” (м. Київ).

 

 

 

Провідна установа: Чернівецький державний університет ім.

Ю.Федьковича,

 

м. Чернівці.

 

 

 

Захист відбудеться 22 червня 1999 року о 15 год. на засіданні

спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному

університеті ім. Лесі Українки за адресою: 263021, м. Луцьк,

вул.Потапова,9.

 

 

 

З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Волинського державного

університету.

 

 

 

Автореферат розісланій 20 травня 1999 р.

 

 

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради

Божко В.В.

 

 

 

ЗАГАЛЬНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ РОБОТИ

 

 

 

Актуальність теми. Напівпровідники антимоніду і сульфіду кадмію є

перспективними матеріалами для різних областей науки і техніки. Вони

знайшли широке застосування в оптоелектроніці, нелінійній оптиці і інших

областях електронної техніки. Часто корисні для практичного використання

фізичні властивості бінарних сполук визначаються дефектами їх структури.

 

Є певні успіхи у вивченні впливу дефектів на властивості

напівпровідників А2В6. Менш вивченими в цьому відношенні залишаються

напівпровідники типу А2В5. В літературі практично відсутні дані про

вплив g- і нейтронного опромінення на фізичні властивості антимоніду

кадмію, за виключенням досліджень впливу порівняно невеликих

інтегральних потоків g- квантів 60Со (до 1018см-2) на п’єзоопір n-CdSb і

швидких нейтронів (1015н/см2) на явища переносу.

 

Незважаючи на те, що типи дефектів у CdS і їх вплив на основні параметри

цих кристалів вивчаються порівняно давно, в публікаціях зустрічаються

суперечливі відомості про моделі структурних пошкоджень, відповідальних

за важливі оптичні параметри CdS та інших бінарних сполук групи А2В6.

 

Особливістю власних дефектів гратки бінарних напівпровідників є активна

взаємодія їх з легуючими і неконтрольованими домішками. Оскільки

технологія вирощування напівпровідникових сполук допускає утворення

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ