UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75834
останнє поновлення: 2016-11-29
за 7 днів додано 10

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваДослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О.О. Пузенко, НАН України. Ін-т фізики. — К.
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1765
Скачало108
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ

 

ПУЗЕНКО ОЛЕНА ОЛЕКСАНДРІВНА

 

УДК 621.315.592.

 

Дослідження процесів утворення та

 

відпалу термодефектів в кремнії

 

01.04.07- фізика твердого тіла

 

АВТОРЕФЕРАТ

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико- математичних наук

 

 

Київ -1999

 

 

Дисертацією є рукопис

 

Робота виконана у відділі фізики радіаційних процесів Інституту фізики

НАН України

 

Науковий керівник: доктор фіз.-мат. наук, Крайчинський Анатолій

Миколайович, Інститут фізики НАН України,

 

в.о. завідувача відділом

 

Офіційні опоненти : доктор фіз.-мат. наук, професор, Бабич Вілік

Максимович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач

відділом.

 

доктор фіз.-мат. наук, професор, Данильченко Борис Олександрович,

Інститут фізики НАН України, провідний науковий співробітник.

 

Провідна установа: Київський національний університет ім.Т.Г.Шевченка,

радіофізичний факультет, кафедра напівпровідникової електроніки

 

 

 

Захист відбудеться “25” листопада 1999 р. о 16 год. на засіданні

спеціалізованої вченої ради Д 26.159.01 в Інституті фізики НАН України

за адресою: 252028, Київ - 28, пр. Науки, № 46.

 

Автореферат розісланий “25” жовтня 1999 р.

 

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту фізики.

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради

Іщук В.А.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми Oсновним матеріалом сучасної

напівпровідникової мікроелектроніки є кремній. Виробництво практично

усіх кремнієвих приладів та інтегральних схем тим або іншим чином

пов’язане з термічною обробкою. Тому, досить важливо встановити,

які зміни відбуваються в Si в процесі термічного впливу, так як

прогрівання кремнію (навіть короткочасне і при порівняно невисоких

температурах) може суттєво змінити його електричні параметри,

створити нові структурні дефекти та призвести до перебудови тих, що вже

існують у вихідному матеріалі. Для кремнію, вирощеного методом

Чохральського, ця проблема має особливе значення в зв’язку з

преципітацією основної фонової домішки - кисню. Перевищуючи в

більшості практично важливих випадках за концентрацією всі інші домішки,

саме кисень визначає зміну властивостей Si в процесі термообробок (ТО)

та під опроміненням. Це зв’язано з тим, що атоми кисню, електрично

нейтральні у вихідному стані, входять до складу основних термо- та

радіаційних дефектів Si (термодонорів, А-центрів).

 

Крім того, при вирощуванні кристалів методом Чохральського існує цілий

ряд причин, що приводять до появи мікроскопічних флуктуацій домішки

кисню (МФК) в їх об’ємі. Існування таких мікроскопічних неоднорідностей

небажане, особливо коли МФК стають співрозмірними з розмірами елементів

мікросхем. Неоднорідності просторової локалізації кисню в кремнії з

розмірами менше 10 мкм (довжина хвилі оптичного поглинання атомами кисню

в Si) є недоступними для дослідження традиційними прямими методами.

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ