UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75838
останнє поновлення: 2016-12-03
за 7 днів додано 10

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваКвантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О.В. Барабанов, Київ. ун-т ім. Т.Шевче
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1774
Скачало145
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

Київський Університет імені Тараса Шевченка

 

Барабанов Олександр Валерійович

 

УДК 621.315.592

 

Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках

 

Спеціальність

 

01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків

 

Автореферат

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук.

 

Київ – 1999

 

 

Дисертацією є рукопис.

 

Робота виконана в Київському університеті імені Тараса Шевченка.

 

Науковий керівник: д. ф.-м. н., проф., Третяк Олег Васильович,

 

Київський університеті імені Тараса Шевченка, перший проректор, зав.

кафедрою напівпровідникової електроніки радіофізичного факультету

 

Офіційні опоненти: д.ф.-м.н., с.н.с, Іщенко Станіслав Степанович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий

співробітник;

 

д. ф.-м. н., проф., член-кор. НАН України,

 

Рябченко Сергій Михайлович,

 

Інститут фізики НАН України, зав. лаб.

 

Провідна установа: Одеський державний університет імені

 

І.І.Мечникова.

 

Захист відбудеться ‘24’ травня 1999 р. о15.00 годині в ауд. №46 на

засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 в Київському

університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 252127, Київ-127, пр.

Глушкова, 6, радіофізичний факультет.

 

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Київського університету

імені Тараса Шевченка (м. Київ, вул. Володимирська,58).

 

Автореферат розісланий “23” квітня 1999 р.

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради А.Г. Шкавро Загальна характеристика

роботи

 

Актуальність теми. Найважливішою рисою напівпровідників є сильна

залежність їх властивостей від кількості та типу локалізованих станів в

забороненій зоні. Електронні переходи за участю таких станів відіграють

важливу роль, як в фізичних процесах, які відбуваються в

напівпровідникових приладах, так і в низці явищ, які мають

фундаментальне наукове значення.

 

В реальних напівпровідниках та напівпровідникових приладах одночасно

можуть відбуватися електронні переходи декількох типів: прямі міжзонні,

міжзонні за участю домішок, переходи між локалізованими станами в

забороненій зоні. Протягом великого відрізку часу теорія електронних

переходів в напівпровідниках базувалася на напівкласичних рівняннях для

заселеності електронних рівнів. При цьому суто квантовий ефект –

наявність у електрона спіну 1/2 – враховувався лише відповідним фактором

виродження у статистичних співвідношеннях. Ані спінова динаміка, ані

фундаментальні принципи квантової механіки не враховувались при

розрахунках швидкості електронних переходів.

 

Рекомбінація носіїв заряду в кремнії та низці інших напівпровідників в

основному відбувається за участю локалізованих станів у забороненій зоні

напівпровідника. Завдяки цьому, швидкість рекомбінаційних переходів може

залежати від спінового стану вільних та локалізованих електронів. Ця

залежність обумовлена двома фізичними принципами – принципом Паулі та

«законом збереження спіну», який виконується, коли гамільтоніан комутує

з оператором спіну.

 

Якщо під дією зовнішнього впливу (наприклад, постійного чи змінного

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ