UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75850
останнє поновлення: 2016-12-08
за 7 днів додано 17

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваКутові і енергетичні розподіли іонів, емітованих одноелементними та сплавними рідкометалевими джерелами: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / В.С. К
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1604
Скачало102
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НацІональна академІЯ наук украЇни

 

Інститут фІзики

 

На правах рукопису

 

 

Кулик ВІктор СеменовиЧ

 

 

УДК 537:534.1

 

КутовІ І енергетиЧнІ розподІли ІонІв,

 

емІтованих одноелементними та сплавними

 

рІдкометалевими джерелами

 

Спеціальність 01.04.04.- фізична електроніка

 

автореферат

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

Київ - 1999Дисертація є рукописом

 

Робота виконана у відділі фізичної електроніки Інституту фізики НАН

України

 

Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук,

 

професор Медведєв Валентин Кузьмич

 

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук

 

Горшков Вячеслав Миколайович,

 

(Інститут фізики НАН України)

 

кандидат фізико-математичних наук

 

Козирєв Юрій Миколайович

 

(Інститут хімії поверхні НАН України)

 

Провідна організація: Національний університет ім. Т. Шевченка,

 

радіофізичний факультет

 

Захист відбудеться “28” жовтня 1999 р. о 16 годині

 

на засіданні Спеціалізованої вченої ради Д 26.159.01

 

при Інституті фізики НАН України (252022, Київ, проспект Науки,46)

 

З дисертацією можна ознайомитись в науковій бібліотеці Інституту фізики

НАН України

 

Автореферат розіслано 23 вересня 1999 р.

 

Вчений секретар

 

Спеціалізованої вченої ради

 

кандидат фізико-математичних наук Іщук В.А.

 

Загальна характеристика роботи

 

Актуальність теми

 

Одним із пріоритетних напрямів розвитку мікроелектроніки є розробка і

створення унікального інструментарію нанотехнологій, за допомогою якого

можна виготовляти електронні і оптичні схеми з розмірами елементів,

меншими десяти нанометрів. Застосування рідкометалевих джерел іонів

(РМДІ) в іонно-променевих пристроях дає можливість створення

прецизійного, універсального інструмента, що може задовольнити ці

вимоги. Гостросфокусовані іонні пучки РМДІ з керованою енергією і

відхиленням, за останні роки знайшли широке практичне застосування для

різних видів обробки мікронних об'єктів, для прямої (безмаскової)

імплантації домішок в напівпровідникові матеріали, для літографічних

робіт, а також для проведення елементного аналізу досліджуваних об'єктів

[1,2]. Отже РМДІ може бути не тільки частиною таких інструментів, а ще й

основою для розробки багатьох методик фізичних досліджень. Яскравість

РМДІ є рекордною серед відомих джерел іонів (~108А/см2.ср), область

емісії становить мільйонну частку квадратного мікрометра. Таким чином,

це практично точкове джерело. Розкид емітованих ним іонів по енергіях

залежить в основному від величини емісійного струму і становить ~5ё50

еВ. В найпростішому вигляді РМДІ складається всього з двох електродів:

емітера, яким може бути капіляр, заповнений розплавом металу, чи змочене

ним направляюче вістря, і екстрактора (колектора) іонів. Таке джерело

займає об'єм біля одного кубічного сантиметра. Навіть простою системою

електростатичних лінз вдається сфокусувати іони РМДІ в цятку діаметром

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ