UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 10

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваОптичні властивості кремнієвих, германієвих і вуглецевих наноструктур, одержаних імплантацією: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / В.О. Юхимчук, НА
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось3281
Скачало158
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

 

 

УДК 539. 219;

 

535.36; 535.37

 

ЮХИМЧУК ВОЛОДИМИР ОЛЕКСАНДРОВИЧ

 

ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ, ГЕРМАНІЄВИХ І ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОСТРУКТУР,

ОДЕРЖАНИХ ІМПЛАНТАЦІЄЮ

 

(01.04.07 – фізика твердого тіла)

 

Автореферат

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

Київ-1999

 

Дисертацією є рукопис.

 

Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників, Національна

академія наук України, м. Київ

 

Науковий керівник: Чл.-кор. НАН України,

 

доктор фізико-математичних наук,

 

професор Валах Михайло Якович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАНУ,

 

заступник директора

 

Офіційні опоненти: Чл.-кор. НАН України,

 

доктор фізико-математичних наук,

 

професор Блонський Іван Васильович,

 

Інститут фізики НАНУ

 

заступник директора

 

С.н.с., к.ф.-м.н.,

 

Білий Микола Михайлович

 

Київський університет імені Тараса Шевченка Старший науковий

співробітник

 

Провідна установа: Львівський національний університет імені Івана

Франка,

 

кафедра фізики напівпровідників

 

Захист відбудеться “19” листопада 1999 р. о 1415 на засіданні

спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики

напівпровідників НАН України за адресою:

 

252650, Київ – 28, проспект Науки, 45.

 

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників НАН України (252650, Київ-28, проспект Науки, 45).

 

Автореферат розісланий “18” жовтня 1999 р.

 

Вчений секретар

 

Спеціалізованої вченої ради Охріменко О.Б.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми. В останнє десятиріччя фізика низькорозмірних

твердотільних структур розвивається надзвичайно швидкими темпами.

Перехід до нанотехнологій та вивчення фізичних процесів, що відбуваються

в таких структурах є по суті новим етапом у розвитку фізики

напівпровідників.

 

Фізика і технологія наноструктур, на основі прямозонних

напівпровідників розвивалася послідовно від двомірних систем (квантових

ям та надграток) до одномірних систем (квантових ниток) і нульмірних

систем (квантових точок). Це дозволило, зокрема, створити лазери з

рекордно низьким порогом генерації та можливістю зміни довжини хвилі

випромінювання.

 

Отримання надграток, квантових ниток та квантових точок на основі

непрямозонних Si та Ge принципово розширює можливості використання цих

вже досить добре вивчених напівпровідників, зокрема в оптоелектроніці. В

1990 році було показано, що пористий кремній, отриманий електрохімічним

травленням, проявляє інтенсивну фотолюмінісценцію (ФЛ) у видимій області

спектру. Однак в зв’язку з деякою нестабільністю його

світловипромінюючих характеристик та поганими механічними властивостями

наряду з дослідженням пористого кремнію почали розвиватися альтернативні

технології отримання випромінюючого нанокристалічного Si в SiO2-матриці.

Додатковим стимулом до цього було намагання одержати більш простий

модельний об’єкт для фізичних досліджень квантоворозмірних ефектів.

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ