UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75855
останнє поновлення: 2016-12-09
за 7 днів додано 17

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваОптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідним шаром: Автореф. дис... канд. фіз.-мат.
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось2594
Скачало128
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

 

ФУРСЕНКО ОКСАНА ВОЛОДИМИРІВНА

 

УДК 535.3:535.51

 

ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ

 

ТВЕРДОТІЛЬНИХ СТРУКТУР МЕТАЛ-НАПІВПРОВІДНИК

 

(GaAs, InP, Si) З ПЕРЕХІДНИМ ШАРОМ

 

01.04.07 - фізика твердого тіла

 

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико - математичних наук

 

Київ - 1999

 

 

Дисертацією є рукопис.

 

Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України.

 

Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор

 

Дмитрук Микола Леонтійович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України,

 

завідуючий відділом поляритонної оптоелектроніки.

 

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор

 

Фекешгазі Іштван Вінцейович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України,

 

завідуючий відділом нелінійних оптичних систем;

 

доктор фізико-математичних наук, професор

 

Шайкевич Ігор Андрійович,

 

Національний Університет ім. Т.Г.Шевченка,

 

професор кафедри оптики

 

Провідна установа: Інститут фізики НАН України,

 

відділ фотоактивності, м.Київ.

 

Захист відбудеться “ 19 ” листопада 1999 р. о 1415 год.

 

на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01

 

при Інституті фізики напівпровідників НАН України

 

за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 41.

 

З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45 ).

 

Автореферат розісланий “ 18 “ жовтня 1999 р.

 

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,

 

кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми. Структури з бар’єром Шотткі в контакті

метал-напівпровідник (МН) знаходять широке застосування як у

мікроелектроніці, так і в оптоелектроніці. Так, для фотоперетворювачів

сонячної енергії перспективними є виготовлені на основі сполук типу A3B5

(GaAs, InP) та Si тонкоплівкові структури. Відомо, що їх

фотоелектрорушійна сила та коефіцієнт корисної дії суттєво зростають при

наявності між напівпровідником та металом тонкого тунельно-прозорого

перехідного (проміжного) шару, яким може виступати, наприклад, окислена

поверхня напівпровідника. Такий шар впливає як на структуру енергетичних

станів і механізм струмопроходження, так і на інтенсивність світла, що

проходить крізь напівпрозорий шар металу в напівпровідник, а значить і

на генерацію електронно-діркових пар, чим визначає оптичні втрати в

фотоперетворювачі. Тому для оцінки значення коефіцієнта розділення

електронно-діркових пар у фотоперетворювачі з проміжним шаром та вибору

його оптимальної товщини для різних умов використання таких приладів

необхідно знати коефіцієнт пропускання світла такими структурами, що в

свою чергу вимагає знання оптичних параметрів проміжного шару. Важливо

також контролювати зміну останніх в процесі технологічних операцій

виготовлення структури метал – проміжний (тунельно-тонкий) шар –

напівпровідник.

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ