UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 15

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваП'єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію p-типу провідності і сенсори на їх основі: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / Ю.М. П
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось2201
Скачало122
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА"

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Панков Юрій Михайлович

 

 

 

 

 

 

 

УДК 537.32

 

 

 

 

 

П’єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію р-типу

провідності і сенсори на їх основі

 

 

 

 

 

01.04.01 - фізика приладів, елементів і систем

 

 

 

 

 

 

 

АВТОРЕФЕРАТ

 

 

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Львів - 1999

 

5

 

 

 

 

 

Дисертацією є рукопис.

 

 

 

Робота виконана у Державному університеті “Львівська політехніка”

Міністерства освіти України.

 

 

 

Науковий керівник - доктор технічних наук, професор

 

Дружинін Анатолій Олександрович,

 

Державний університет “Львівська політехніка”,

 

професор

 

 

 

Офіційні опоненти: - доктор фізико-математичних наук, с.н.с.

 

Коломоєць Володимир Васильович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України,

 

завідувач відділу

 

 

 

- доктор фізико-математичних наук, професор

 

Гафійчук Василій Васильович,

 

Інститут прикладних проблем механіки та

 

математики НАН України (м. Львів),

 

завідувач відділу

 

 

 

Провідна установа - Львівський національний університет ім. І. Франка,

 

кафедра фізики напівпровідників,

 

Міністерство освіти України.

 

 

 

Захист відбудеться 25 лютого 2000 р. о 14 годині на засіданні

спеціалізованої вченої ради Д 35.052.14 при Державному університеті

“Львівська політехніка” (79646, Львів-13, вул.С.Бандери,12, ауд.124

головного корпусу).

 

 

 

З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Державного

університету “Львівська політехніка” (вул. Професорська, 1).

 

 

 

 

 

Автореферат розісланий “21” січня 2000 р.

 

 

 

 

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради Байцар Р.І.

 

 

 

 

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми. Сучасний етап розвитку твердотільного

приладобудування характеризується розробкою напівпровідникових сенсорів,

здатних працювати в екстремальних умовах, а також використанням нових

технологій мікроелектроніки та мікромеханіки. При цьому на даний час

кремній р-типу провідності є основним активним матеріалом сенсорів

механічних величин, що зумовлено лінійністю його деформаційних

характеристик порівняно з матеріалом n-типу. Натомість п’єзорезистивний

ефект саме у Si та Ge р-типу недостатньо вивчений як теоретично, так і

експериментально, особливо при значних, до 1 %, різнополярних

деформаціях.

 

Модельні уявлення про процеси переносу в деформованих Si та Ge на

мікроскопічному рівні детально розроблені також лише для

напівпровідників n-тиру. Це пояснюється відносною зручністю побудови

моделей при вивченні впливу одновісного напруженого деформування (ОНД)

на еквівалентні долини в низькосиметричних точках зони Бріллюена (ЗБ):

дозволеністю лінійного деформаційного потенціалу El ~ та пов’язаною з

цим можливістю лінійних залежностей міждолинного перерозподілу

електронів з деформацією . Відомі з літератури моделі п’єзоопору в

діркових Sі та Ge також базуються на дозволеності лінійного

деформаційного перерозподілу концентрацій різних гатунків дірок.

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ