UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75855
останнє поновлення: 2016-12-09
за 7 днів додано 22

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваРезонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук / А.М.
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось3267
Скачало113
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

2

 

 

 

Київський університет імені Тараса Шевченка

 

 

 

 

 

 

На правах

рукопису

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КОРОЛЬ АНАТОЛІЙ МИКОЛАЙОВИЧ

 

 

 

УДК 537.311.322

 

 

 

 

 

РЕЗОНАНСНЕ ТУНЕЛЮВАННЯ ЗА УЧАСТЮ ГЛИБОКИХ

 

 

 

ЦЕНТРІВ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

 

 

ТА ЗВ’ЯЗАНІ З НИМ ЕФЕКТИ

 

 

 

 

 

 

 

01. 04. 10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

 

 

 

 

 

 

 

АВТОРЕФЕРАТ

 

 

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

доктора фізико-математичних наук

 

 

 

 

 

Київ - 1999

 

Дисертацією є рукопис.

 

Робота виконана в Українському державному університеті харчових

технологій

 

 

 

 

 

 

 

Офіційні опоненти:

 

член-кореспондент Академії педагогічних наук України,

доктор фізико-математичних наук, професор, перший проректор

 

Київського університету імені Тараса Шевченка

 

ТРЕТЯК Олег Васильович

 

 

 

доктор фізико-математичних наук, провідний науковий

співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України

 

ВАСЬКО Федір Трохимович

 

 

 

доктор фізико-математичних наук, професор, професор

кафедри загальної та теоретичної фізики Національного технічного

університету України “КПІ”

 

СНАРСЬКИЙ Андрій Олександрович

 

 

 

 

 

Провідна організація: Інститут фізики НАН України

 

 

 

Захист відбудеться 26 квітня 1999 р. о 15 годині на

засіданні

 

спеціалізованої вченої ради Д26.001.31.в Київському університеті імені

Тараса Шевченка

 

за адресою: 252127, м.Київ, пр.акад. Глушкова 6, ауд. 46.

 

 

 

 

 

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Київського університету

імені Тараса Шевченка.

 

 

 

Автореферат розіслано 12 березня 1999 р.

 

 

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради, канд.фіз.-мат. А.Г.

Шкавро

 

 

 

 

 

ВСТУП.

 

 

 

Актуальність теми. В напівпровідниковій мікроелектроніці сьогоднішнього

дня спостерігається значний поступ, який став можливим передусім завдяки

успіхам напівпровідникової технології. Інтенсивно вивчаються такі

напівпровідникові об’єкти, які вдалося створити зовсім недавно:

різноманітні тунельно-резонансні структури (ТРС), квантові хвильоводи

різних форм і конфігурацій, низьковимірні квантові структури (квантові

дроти, квантові точки), квантові кільця, різні типи надструктур,

зокрема, надгратки, невпорядковані системи, квазіперіодичні ланцюги і

таке інше. Багато із згаданих об’єктів вже практично використовуються,

але все ж таки сучасний період можна охарактеризувати, як період

широкого, всебічного вивчення тих структур, що їх можна створити на базі

нової технології. В періодиці з’являється також багато робіт, де

пропонуються нові напівпровідникові прилади, дія яких грунтується на

згаданих структурах.

 

З іншого боку добре відомо, яку велику роль в роботі напівпровідникових

можуть відігравати глибокі домішкові центри, які в деяких випадках

вводяться в напівпровідники штучно, цілеспрямовано, в інших існують

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ