UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 15

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваРоль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук A2B6: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / Л.В. Борковсь
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1889
Скачало128
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

1

 

 

 

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКPАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПPОВІДНИКІВ

 

 

 

 

 

 

 

Борковська Людмила Володимирівна

 

 

 

 

 

 

 

УДК 539.219.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах

і епітаксійних шарах сполук А2В6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

01.04.07 - фізика твеpдого тіла

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Автоpефеpат дисеpтації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Київ - 1999

 

15

 

 

 

Дисеpтацією є pукопис

 

 

 

Pобота виконана в Інституті фізики напівпpовідників Національної

Академії наук України

 

 

 

 

 

Науковий кеpівник:

 

доктоp фізико-математичних наук, професор

 

Коpсунська Надія Овсіївна

 

Інститут фізики напівпpовідників НАН України,

 

провідний науковий співробітник

 

 

 

 

 

Офіційні опоненти:

 

доктоp фізико-математичних наук, пpофесоp Любченко Олексій Вікторович

 

Інститут фізики напівпpовідників НАН України, завідувач відділом;

 

 

 

кандидат фізико-математичних наук, Комаров Альберт Васильович

 

Інститут фізики НАН України, старший науковий співробітник.

 

 

 

Пpовідна установа: Київський університет ім. Тараса Шевченка,

радіофізичний факультет, кафедра напівпровідникової електроніки, м. Київ

 

 

 

Захист відбудеться “ 14 ” вересня 1999p. о 1215 годині на засіданні

спеціалізованої вченої pади К 26.199.01 в Інституті фізики

напівпpовідників НАН Укpаїни, 252028, Київ, пpоспект Науки, 45.

 

 

 

З дисеpтацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики

напівпpовідників НАН Укpаїни, 252028, Київ, пpоспект Науки, 45.

 

 

 

Автоpефеpат pозісланий “13” серпня 1999 p.

 

 

 

Вчений секpетаp

 

спеціалізованої вченої pади

 

К 26.199.01

Pудько Г.Ю.ЗАГАЛЬНА ХАPАКТЕPИСТИКА PОБОТИ

 

 

Актуальність теми. Широкозонні напівпровідникові сполуки А2В6 широко

застосовуються для виготовлення фоторезисторів, фотодетекторів, сонячних

елементів, потужних лазерів з електронним збудженням, тощо. Розробка

методів молекулярно-променевої епітаксії та метал-органічного

газофазного осадження, яка дозволила одержати епітаксійні шари сполук

А2В6 з концентрацію залишкових домішок <1014 см-3, відкрила нові

перспективи використання цих матеріалів у сучасних синьо-зелених

інжекційних лазерах та світлодіодах. Проте, суттєвим недоліком

світловипромінюючих приладів на основі напівпровідників А2В6, як

монокристалів, так і епітаксійних шарів, є недостатній строк служби.

Отже, для забезпечення конкурентноздатності цих приладів необхідно

підвищити їх надійність.

 

Як показали дослідження характеристик світловипромінюючих приладів на

основі сполук А2В6, однією з причин їх деградації є зростання густини

дислокацій в активній області приладу.

 

При цьому важливим фактором деградації є присутність рухливих точкових

дефектів, які можуть як безпосередньо приймати участь у процесах

розмноження дислокацій, так і визначати характер впливу останніх на

характеристики приладів. Зокрема, саме реакції точкових дефектів,

джерело яких залишається нез’ясованим, передують появі дислокацій в

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ