UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75855
останнє поновлення: 2016-12-09
за 7 днів додано 17

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваРоль поверхні в процесах збудження фотолюмінесценції пористого кремнію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / Л.Ю. Хоменкова, НАН України. Ін-т фізик
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1980
Скачало120
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

 

Хоменкова Лариса Юріївна

 

УДК 539.211

 

РОЛЬ ПОВЕРХНІ В ПРОЦЕСАХ ЗБУДЖЕННЯ

 

ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ

 

01.04.07 - фізика твердого тіла

 

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

Київ - 1999

 

Дисертацією є рукопис.

 

Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної

Академії наук України.

 

Науковий керівник

 

доктор фізико-математичних наук, професор

 

Корсунська Надія Овсіївна

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України,

 

провідний науковий співробітник

 

Офіційні опоненти:

 

доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАНУ

Блонський Іван Васильович, Інститут фізики НАН України, заступник

директора

 

кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Федоренко Леонід Леонідович, Інститут фізики напівпровідників НАН

України, старший науковий співробітник

 

Провідна організація

 

Київський університет імені Тараса Шевченка, кафедра оптики,

Міністерство освіти України, м. Київ

 

Захист відбудеться “14“ вересня 1999 р. о 1415 годині на засіданні

спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики

напівпровідників НАН України (252650, ГСП, Київ-28, проспект Науки, 45)

 

З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників НАН України за адресою Київ-28, проспект Науки, 45.

 

Автореферат розісланий “13” серпня 1999 р.

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 Рудько Г.Ю.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність роботи. Основні тенденції розвитку сучасної

напівпровідникової електроніки пов'язані з підвищенням функціональної

складності і ступеня інтеграції мікросхем, із збільшенням їхньої

швидкодії та радіаційної стійкості. Ці вимоги визначають напрямки робіт

із пошуку нових матеріалів і нових технологічних процесів, що можуть

забезпечити необхідні якісні показники виробів при високій

техніко-економічній ефективності виробництва.

 

На протязі багатьох років основним матеріалом електроніки є

монокристалічний кремній, а одним із перспективних напрямків в його

технології - використання низькотемпературних електрохімічних процесів:

електрохімічного полірування і травлення; електрохімічного легування;

анодного окислення. Використання в мікроелектроніці пористого кремнію

(ПК), який утворюється в результаті електрохімічного травлення, було

обумовлено тим, що його електрофізичними властивостями можна легко

керувати. Це дозволило формувати в монокристалічному кремнії товсті

(понад 1 мкм) діелектричні плівки, діелектричні розділові області,

глибокі леговані шари, а також забезпечити ефективне гетерування домішок

при зберіганні планарності робочої поверхні пластини.

 

Відкриття у 1990 році ефективної фотолюмінесценції (ФЛ) ПК у видимій

області спектру при кімнатній температурі надало величезний поштовх для

дослідження його оптичних властивостей. Однією з основних причин цього

стала перспектива використання ПК для створення різних оптоелектронних

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ