UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75855
останнє поновлення: 2016-12-09
за 7 днів додано 12

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваСтруктурні перетворення в поверхневих шарах кремнієвої та кремній-кисневої фази: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук / І.П. Лісовський, НАН України. І
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось3323
Скачало109
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

 

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

 

 

 

 

 

 

 

 

Лісовський Ігор Петрович

 

 

 

 

 

УДК 621.315.592

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ В ПОВЕРХНЕВИХ ШАРАХ

 

КРЕМНІЄВОЇ ТА КРЕМНІЙ-КИСНЕВОЇ ФАЗИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Автореферат

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

доктора фізико-математичних наук

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Київ - 1999

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дисертацією є рукопис

 

 

 

 

 

Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної

академії наук України

 

 

 

 

 

 

 

Офіційні опоненти:

 

 

 

доктор фізико-математичних наук, професор Бабич Вілік Максимович,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом;

 

 

 

доктор фізико-математичних наук, професор Литовченко Петро Григорович,

 

Інститут ядерних досліджень НАН України, завідувач відділом;

 

 

 

доктор фізико-математичних наук Крайчинський Анатолій Миколайович,

 

Інститут фізики НАН України, т.в.о. завідувача відділом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Провідна установа: Київський університет ім. Тараса Шевченка, м.

Київ

 

 

 

 

 

 

 

Захист відбудеться 2 липня 1999 р. о 1415 на засіданні

спеціалізованої вченої

 

ради Д26.199.02 Інституту фізики напівпровідників НАН України,

 

252028, Київ, проспект Науки, 45.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників НАН України, 252028, Київ, проспект Науки, 45.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Автореферат розісланий 28 травня 1999 р.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вчений секретар

 

Спеціалізованої вченої ради

 

Д26.199.02

Іщенко С.С.

 

 

 

 

 

 

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

 

 

Актуальність теми. Планарні багатошарові системи кремній-оксид, які є

базовими в сучасній мікроелектроніці, мають високу чутливість до

режимів отримання та наступних технологічних обробок, а також до умов

функціонування готових приладів. Це пов’язане, головним чином, з

особливостями структури склоподібної кремній-кисневої фази, яка

характеризується наявністю певної системи розташування атомів кисню

(певні типи кілець тетраедрів SiO4 у випадку SiO2 або комплексів

Si-Oy-Si4-y (1y4) у випадку SiOх), що може при відповідних умовах досить

легко змінюватись завдяки, зокрема, гнучкості містка Si-O-Si. Саме

структурний стан кисню і визначає електрофізичні, механічні, хімічні та

оптичні властивості кремній-кисневої фази, а його варіації обумовлюють

різноманітні структурні перетворення, які викликають, в свою чергу,

зміни основних характеристик планарних систем і, відповідно, параметрів

приладів на їх основі. Тому вивчення структурного стану кисню та

механізмів його трансформації в залежності від умов отримання та

наступних обробок багатошарових планарних систем є однією з

найважливіших наукових та практичних задач мікроелектроніки.

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ