UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 10

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваСучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук /
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось1688
Скачало129
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

Київський Університет імені Тараса Шевченка

 

Бойко Юрій Володимирович

 

УДК 621.382

 

Сучасні підходи у визначенні параметрів

 

глибоких рівнів в напівпровідниках методом

 

релаксаційної спектроскопії

 

Спеціальність

 

01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків

 

Автореферат

 

дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата фізико-математичних наук

 

Київ – 1999

 

Дисертацією є рукопис

 

Робота виконана в Київському університеті імені Тараса Шевченка.

 

Науковий керівник: Третяк Олег Васильович

 

доктор фіз.-мат. наук, професор, зав.кафедрою,

 

Київський університет імені Тараса Шевченка.

 

Офіційні опоненти: Комащенко Валерій Миколайович,

 

доктор фіз.-мат. наук, ст. н. співробітник,

 

зав. відділом,

 

Інститут фізики напівпровідників НАН України.

 

Крайчинський Анатолій Миколайович,

 

доктор фіз.-мат. наук, ст. н. співробітник,

 

т.в.о. зав. відділом,

 

Інститут фізики НАН України.

 

Провідна установа: Ужгородський державний університет.

 

Захист відбудеться ‘24’ травня 1999 р. о 16.00 годині в ауд. №46 на

засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.001.31 в Київському

університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 252127, Київ-127, пр.

Глушкова, 6, радіофізичний факультет.

 

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Київського університету

імені Тараса Шевченка (м. Київ, вул. Володимирська, 58)

 

Автореферат розісланий 23 квітня 1999р.

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради А.Г. Шкавро

 

Загальна характеристика роботи

 

Актуальність теми. Вивчення характеристик матеріалу відіграє важливу

роль в технології виробництва напівпровідникових приладів. Глибокі рівні

у забороненій енергетичній зоні напівпровідника впливають на параметри

напівпровідникових приладів. Цей вплив може бути як позитивним

(наприклад, в разі введення домішки золота в кремній для зменшення часу

життя носіїв заряду в швидкодіючих діодах), так і негативним (як у разі

зменшення ефективності випромінення в світлодіодах та лазерах через

наявність безвипромінювальних рекомбінаційних вловлювачів). В обох

випадках існує необхідність контролю наявності глибоких рівнів та

визначення їх електрофізичних параметрів.

 

Якщо порівнювати всі наявні методи контролю параметрів глибоких рівнів,

то виявиться, що найбільші переваги надає релаксаційна спектроскопія

глибоких рівнів, скорочено РСГР. Метод дозволяє розрізняти вловлювачі

для основних і неосновних носіїв, реєструвати глибокі центри при

концентрації, що складає одну десятитисячну від концентрації вільних

носіїв (при цьому однаково добре реєструються як випромінювальні, так і

безвипромінювальні центри). Метод має високу роздільну здатність,

дозволяє досить просто інтерпретувати дані експерименту, дає змогу

визначити такі параметри: розташування глибоких рівнів в забороненій

зоні в широкому діапазоні енергій, профіль концентрації глибоких рівнів,

переріз захоплення для електронів та дірок.

 

Дослідження параметрів глибоких рівнів методом РСГР базується на

експоненціальній залежності ємності досліджуваної структури від часу при

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ