UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75855
останнє поновлення: 2016-12-09
за 7 днів додано 12

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваТеоретичні аспекти технології вирощування та наступної обробки напівпровідникових твердих розчинів на основі сполук AIIBVI: Автореф. дис... канд. техн
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось2479
Скачало112
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

 

 

 

УДК 621.315.592

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Каверцев Сергій Володимирович

 

 

 

 

 

Теоретичні аспекти технології вирощування та наступної обробки

напівпровідникових твердих розчинів на основі сполук AIIBVI.

 

 

 

 

 

(05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки)

 

 

 

 

 

 

 

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня

 

кандидата технічних наук

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Київ - 1999

 

Дисертацією є рукопис.

 

 

 

Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної

Академії Наук України, місто Київ.

 

 

 

Науковий керівник:Доктор фіз. - мат. наук, ст.наук. спів.

 

Бєляєв Олександр Євгенович,

 

ІФН НАНУ, м.Київ, пров. наук. спів.Офіційні опоненти:Доктор фіз. - мат.

наук, професор

 

Берченко Микола Миколаєвич ,

 

Державний університет “Львівська політехніка”, м.Львів, професор

 

 

 

Доктор фіз. - мат. наук, професор

 

Пекар Григорій Соломонович

 

ІФН НАНУ, м.Київ, пров. наук. спів.Провідна установа:Чернівецький

державний університет ім. Ю. Федьковича, Міністерство освіти України, м.

Чернівці

 

Захист відбудеться 29 чевня 1999 р. о 1415 год. на засіданні

спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики

напівпровідників Національної Академії наук України за адресою: 252028,

Київ - 28, пр.Науки, 45.

 

 

 

З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників Національної Академії наук України.

 

 

 

Автореферат розісланий 1999 року.

 

 

 

Вчений секретар Спеціалізованої ради кандидат фізико-математичних

наукРудько Г.Ю.18

 

 

 

 

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

 

 

Метою поданої роботи є теоретичний аналіз кола питань, пов’язаних з

технологією вирощування та наступної обробки вузькощілинних

напівпровідників (Hg,Cd)Te та (Hg,Mn)Te.

 

Актуальність обраної теми обумовлена широкими перспективами застосування

цих напівпровідників в інфрачервоній (ІЧ) фотоелектроніці, що випливають

з виняткових фізичних властивостей вузькощілинних напівпровідників

AIIBVI, таких як велика рухливість носіїв заряду, висока фоточутливість

та майже 100% квантовий вихід фотоефекту.

 

Найбільш вивченою сполукою згаданої групи є напівпровідниковий твердий

розчин (Hg,Cd)Te, який сьогодні розглядають як основний матеріал для

створення фотоприймачів ІЧ діапазону спектру. Разом з особливостями

зонної структури (що визначають фундаментальні фізичні параметри цього

напівпровідника), фактором, який зумовлює його велику роль в фізиці та

техніці напівпровідникових сполук є складна природа (Hg,Cd)Te як

твердого розчина із змінною дефектною структурою, що надає великі

можливості для розробки приладних структур різної конфігурації. З цієї

причини, хоча такі матеріали, як InSb чи інші напівпровідники групи

AIIIBV успішно конкурують з (Hg,Cd)Te в окремих областях, сфера

застосування (Hg,Cd)Te в інфрачервовій техніці безперервно розширюється.

 

Більшість стратегічних переваг твердого розчину (Hg,Cd)Te - таких як

залежність ширини забороненої зони від складу, велика роль власних

точкових дефектів, або чутливість електронної підсистеми до зовнішніх

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ