UkrReferat.com
найбільша колекція україномовних рефератів

Всього в базі: 75843
останнє поновлення: 2016-12-04
за 7 днів додано 10

Реферати на українській
Реферати на російській
Українські підручники

$ Робота на замовлення
Реклама на сайті
Зворотній зв'язок

 

ПОШУК:   

реферати, курсові, дипломні:

Українські рефератиРусские рефератыКниги
НазваФотоелектронні процеси в твердих розчинах на основі телуридів кадмію, ртуті в умовах природної і стимульованої трансформації дефектної системи: Авторе
Автор
РозділДисертації, автореферати
ФорматWord Doc
Тип документуРеферат
Продивилось3921
Скачало114
Опис
ЗАКАЧКА
Замовити оригінальну роботу

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

 

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

 

Власенко Олександр Іванович

 

УДК 621.315.592

 

ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ

 

НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ, РТУТІ В УМОВАХ

 

ПРИРОДНОЇ І СТИМУЛЬОВАНОЇ ТРАНСФОРМАЦІЇ

 

ДЕФЕКТНОЇ СИСТЕМИ

 

01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків

 

Автореферат

 

дисертації на здобуття наукового ступеня доктора

 

фізико-математичних наук

 

Київ - 1999

 

Дисертацією є рукопис

 

Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної

академії наук України

 

Офіційні опоненти:

 

доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович,

Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом;

 

доктор фізико-математичних наук, професор, Гнатенко Юрій Павлович,

Інститут фізики НАН України, завідувач відділом;

 

доктор фізико-математичних наук, Берченко Микола Миколайович, державний

університет «Львівська політехніка», професор кафедри.

 

Провідна установа: Чернівецький Державний університет ім. Юрія

Федьковича, кафедра фізичної електроніки, Міністерство освіти України,

м. Чернівці.

 

Захист відбудеться 23 квітня 1999 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої

вченої ради Д 26.199.02 Інституту фізики напівпровідників НАН України,

Київ, 252028, проспект Науки 45.

 

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики

напівпровідників НАН України, Київ, 252028, проспект Науки 45.

 

Автореферат розісланий 22_ березня 1999 р.

 

Вчений секретар

 

спеціалізованої вченої ради Іщенко С. С.

 

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

 

Актуальність теми. Інтенсивний розвиток методів і засобів інфрачервоної

(ІЧ) фотоелектроніки і їх активне використання в різних сферах людської

діяльності в останні десятиріччя стимулювали пошук і розробку нових

напівпровідникових матеріалів і структур, фоточутливих у ІЧ-області

спектру, зокрема у вікні прозорості атмосфери 8-14 мкм. Центральне місце

в ІЧ-оптоелектронному матеріалознавстві і приладобудуванні у цьому

спектральному діапазоні у силу специфіки фотоелектричних,

електрофізичних і фізико-хімічних властивостей зайняли напівпровідникові

тверді розчини на основі телуридів кадмію, ртуті ( CdxHg1-xTe (КРТ) із

x»0.2 (ширина забороненої зони Eg=0.1 еВ). Слід відзначити, що синтез і

перші дослідження цього матеріалу були проведені ученими Франції і

України. Підвищений інтерес дослідників і розроблювачів до цього

матеріалу не тільки зберігається, але й постійно зростає, про що

свідчить неухильний ріст числа наукових публікацій з досліджень його

електронних, оптичних, фотоелектронних, структурних і ін. властивостей,

спрямованих на вирішення важливих наукових проблем, практичних задач,

виявлення усього спектру його функціональних можливостей.

 

У зв’язку із створенням і розвитком нової елементної бази

ІЧ-оптоелектроніки (багатоелементні матричні фокальні площини,

SPRITE-елементи, надгратки, варізонні структури і ін.) багатоцільового

призначення, в т. ч. для роботи в екстремальних умовах, великого

значення набувають дослідження нерівноважних процесів, механізмів

-----> Page:

0 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29]

ЗАМОВИТИ ОРИГІНАЛЬНУ РОБОТУ